[書籍] プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例

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[書籍] プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例

商品情報

著者情報

発刊日

2018年9月27日

体裁

B5判並製本 328頁

発行

サイエンス&テクノロジー株式会社

I S B Nコード

978-4-86428-170-6

Cコード

C3058
内容情報 ★1~4章末の「豆知識」は知らない用語の意味&より理解を深める情報を参照・確認するために、ご活用ください

第1章 目的に応じた成膜方式の選定
1. なぜプラズマCVDを使うのか
2. ドライvs.ウェット
3. PVDとCVD
4. PVDとCVDに共通の描像
5. PVDとCVDの違い
6. スパッタ成膜
7. プラズマCVD
豆知識
1-1:真空蒸着とスパッタ成膜
1-2:スパッタリング率のイオンエネルギー依存性
1-3:スパッタ成膜の適用例
1-4:ULSI製造工程における各種成膜法の利用比率
1-5:ULSI製造工程におけるプラズマCVDの適用例
1-6:なぜ集積回路のCu配線はメッキなのか

第2章 適切に制御するための「物理的側面」の理解
1. 気体放電
2. 直流放電プラズマ
3. RF 容量結合型プラズマ(RF CCP)
4. RF 誘導結合型プラズマ(RF ICP)
5. スパッタ用プラズマ源
豆知識
2-1:そもそもプラズマとは
2-2:プラズマの温度
2-3:デバイ長
2-4:シース
2-5:両極性拡散
2-6:弱電離プラズマ中の荷電粒子の消滅機構
2-7:電荷中性プラズマの形成
2-8:定常状態における電子の生成と消滅
2-9:保護抵抗
2-10:Debyeシースの電位差と厚み
2-11:Child-Langmuirシースの電位差と厚み
2-12:なぜRFか?
2-13:周波数に関する法的要請
2-14:ICPの難点とファラデーシールド

第3章 適切に制御するための「化学的側面」の理解
1. はじめに
2. 制御パラメータと内部パラメータ
3. 一次反応過程
4. 二次反応過程
5. 輸送過程
6. 表面反応過程
豆知識
3-1:滞在時間の計算時の注意
3-2:滞在時間と電子衝突回数
3-3:ガスの種類とプラズマ物性

第4章 最終的な膜構造に直結する表面反応の機構
1. 膜構造とその欠陥
2. 膜性能を左右する表面反応
3. 基板温度設定の指針
4. 異なる基板温度で成膜された膜の物性
5. イオン関与によるトレンチ埋め込みと膜のストレス緩和
6. 成膜前駆体の選択的解離と機能基の含有
豆知識
4-1:プラズマCVD とa-Si:H
4-2:成膜速度と基板温度
・物理吸着に支配されている場合
・化学吸着に支配されている場合
・プラズマCVD の場合(その1)
・プラズマCVD の場合(その2)
4-3:平坦化技術(エッチバック)
4-4:膜の応力(ストレス)と基板の反り
4-5:成膜前駆体の付着確率の計測方法
4-6:スパッタリング率のイオン入射角依存性
4-7:ThorntonのStructure Zone Model

第5章 成膜条件の最適化において考慮すべき条件
はじめに?
1. パウダーの発生制御
2. 剥離対策
3. 膜質の均一化
4. 成膜速度
5. 成膜条件がプラズマパラメータおよび膜物性に与える影響
おわりに

第6章 成膜プロセス最適化への影響因子および成膜事例
第1節 プラズマCVDによるグラフェンの成長とその場偏光解析モニタリング
はじめに
1. 実験装置および方法
2. 実験結果と解析
3. グラフェンの成長初期過程に関する考察
おわりに
第2節 産業デバイスに向けたグラフェンナノリボンの大規模集積化合成法の開発
はじめに
1. 研究背景
2. グラフェンナノリボンの集積化合成
おわりに
第3節 ダイヤモンドの合成技術開発の現状と課題
はじめに
1. 人工ダイヤモンドの合成方法
2. 合成メカニズム
3. 現状の合成手法における課題
まとめ
第4節 トライアンドエラーを脱却するためのアモルファス炭素のプラズマ化学気相堆積における表面反応の理解
1. アモルファス炭素膜のプラズマ化学気相堆積中の反応計測の必要性
2. 多重内部反射赤外分光法を用いたプラズマ中の反応計測
3. プラズマ化学気相堆積における赤外分光反応解析
おわりに
第5節 スケールアップの留意点:成膜装置の規模がDLC膜に与える影響
はじめに
1. DLC膜内の水素量評価
2. DLC膜内の欠陥の評価
3. その他の分析
4. DLC膜の硬度評価
まとめ
第6節 有機シランを用いたSiN膜開発における更なる低温化(≦120℃)への取り組み
はじめに
1. 有機シラン原料のスクリーニング
2. 成膜・評価方法
3. 評価結果・考察
おわりに
第7節 電子デバイス用透明SiNxバリア膜の低温形成技術
-Si/N組成比率と膜の光学物性の関係についての考察-
はじめに
1. 種々のプラズマCVD法
2. 成膜条件
3. ガス流量比とSiNx膜の光透過率との関係
4. ラザフォード後方散乱(RBS)とXPSによるSiNx膜の構造評価
まとめ
第8節 OLED用封止膜の低温多層化・柔軟性改善に寄与するCVD/ALD複合装置の開発
はじめに
1. CVD/ALD複合装置
2. ALD+CVD複合膜の特性
おわりに
第9節 超音速噴流を用いた高速・大面積均一な微結晶シリコン製膜プロセス
はじめに
1. 研究の背景と目的
2. 超音速噴流の適用
3. ガス流れの調査
4. プラズマの調査
5. 膜質向上対策
6. 製膜実験
おわりに
第10節 超親水性コーティングのための酸化チタン薄膜形成技術
はじめに
1. 形成方法と制御パラメータ
2. TTIPの分解過程
3. 低温での親水性酸化チタンコーティング
4. 熱CVDとプラズマCVD混合プロセスによるTiO2コーティング
おわりに
第11節 プラズマCVD法を利用した樹脂製車窓の開発と成膜条件の検討
はじめに
1. プラズマCVD法による耐摩耗性ハードコート技術の開発
2. テーバー摩耗試験と耐摩耗性能の発現
3. 車窓用部品試作品の製作
おわりに
第12節 高周波非平衡プラズマ中の微粒子の挙動のその場観察・計測と微粒子による汚染の制御
はじめに
1. プラズマ中での微粒子の生成と動力学
2. プラズマ中の微粒子の観察・計測
3. プラズマ中微粒子汚染の抑制
おわりに

巻末付録 「理解を助ける一問一答」
━━━━━━━━━━━━━━━━━
Q.プラズマはなぜ低温?
Q.なぜCCPは低密度プラズマでICPは高密度なのか?
Q.タウンゼントの放電理論は実務で役に立つのか?
Q.パッシェンの法則は実利的に何かの役に立つのか?
Q.イオン化・励起・解離の頻度が最も高いところは?
Q.O2やH2Oが関与すると放電しにくくなるのはなぜ?

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